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氮化铝陶瓷在半导体领域有哪些应用

文章出处:http://www.jundrotc.com/wenda/852.html人气:7时间:2024-01-10

    氮化铝(AlN)陶瓷具有高热导、高电阻、低介电损耗、低膨胀以及良好的力学性能等特性,可用作高性能导热基板和陶瓷封装材料。
中国航天事业的快速发展促使航天器用超大规模集成电路及电子器件向高密度、高频、高功率、高可靠性、微型化、多功能化方向发展。器件的热流密度随之增加,散热问题逐渐凸显。散热材料是影响器件传热性能和可靠性的关键。因此,高导热电绝缘材料成为电子系统高度集成化和小型化的突破口,其中,电子陶瓷成为解决散热问题的重要方向。

    传统的电子陶瓷材料中,Al2O3 陶瓷导热率较低,被限制在低、中功率应用,而且其线膨胀系数与 Si 不完全匹配。高纯度 BeO 陶瓷室温下的导热率表现突出,但具有剧毒,制备成本高。AlN 陶瓷具有高热导、高电阻、低介电损耗、低膨胀、优异的耐热震性及良好的力学性能等特性,可用作新一代理想的“高性能”、“结构功能一体化”导热绝缘材料。

    直到 19 世纪中叶,AlN 粉体被首次制备合成出来后,AlN 陶瓷才首次被研制成功,而且存在致密度较低,力学性能不佳等问题。近些年,由于对新型多功能电子陶瓷材料的需求迫切,氮化铝陶瓷获得深入研究和应用。

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