氮化铝陶瓷基板精密加工厂

    氮化铝陶瓷具有优良的导热性（为氧化铝陶瓷的 5-10倍），较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。钧杰陶瓷可按客户要求生产各种规格尺寸形状的产品。钧杰陶瓷具有现代化生产线及精密的检测设备，严格按照国家标准进行产品开发和组织生产。以诚实待客、信誉为本的理念为广大客户提供高质量的产、与全国各地众多的客户建立了良好的业务关系，得到了许多客户的信任和好评，钧杰陶瓷以信赖的服务与广大用户建立并保持了长久良好的合作关系。我们诚邀社会各界新老朋友光临指导、加深了解、真诚合作。咨询钧杰陶瓷联系电话：136 998 99025。

  氮化铝（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
  氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。
2、氮化铝陶瓷基片，耐化学腐蚀，热导率高，介电损耗小，强度高，膨胀系数低，耐高温，电阻率高，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
3、氮化铝陶瓷硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位。
4、主要是利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用光学性能可作红外线窗口。氮化铝陶瓷薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。
5、氮化铝陶瓷材料耐热、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。
  主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。特点：热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。钧杰陶瓷常年致力于从事特种陶瓷材料的技术开发、产品设计制造以及现场施工，确保为用户提供优质的特种陶瓷防腐材料及工程服务。咨询钧杰陶瓷联系电话：136 998 99025。