可以加工氮化铝陶瓷基片的厂家

   氮化铝陶瓷具有优良的导热性并且还有较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，是非常理想的大规模集成电路散热基板材料。但是氮化铝陶瓷材料的硬度高，脆性大，氮化铝陶瓷基板的加工难度也是比较高的，钧杰陶瓷选择专用陶瓷加工设备来进行氮化铝陶瓷基板的精密加工并且具有现代化生产线及精密的检测设备，严格按照国家标准进行产品开发和组织生产。与全国各地众多的客户建立了良好的业务关系，得到了许多客户的信任和好评，了解氮化铝陶瓷基板加工事宜咨询钧杰陶瓷联系电话：136 998 99025。

  氮化铝（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，氮化铝陶瓷的各项性能指标都表明这是理想的大规模集成电路散热基板材料。具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
   氮化铝陶瓷基片，耐化学腐蚀，热导率高，介电损耗小，强度高，膨胀系数低，耐高温，电阻率高，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
  氮化铝陶瓷材料的应用广泛，不光是可以制作基板，氮化铝陶瓷硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位。利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用光学性能可作红外线窗口。氮化铝陶瓷薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。
  氮化铝陶瓷材料还可以制作成坩埚氮化铝陶瓷材料耐热、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。

   主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。 钧杰陶瓷常年致力于从事特种陶瓷材料的技术开发、产品设计制造钧杰陶瓷拥有先进的加工设备,同时我们公司还有一群一流的加工技术团队，并且加工出来的产品质量现在基本上达到了国内先进的水准.钧杰陶瓷专注于品质第一,服务至上,求实创新,持续改善公司的经营理念,最大限度地提供令客户满意的产品,真诚的与广大新老客户携手合作,永续经营之道.客户可来样来图订制各类陶瓷工件，陶瓷结构件。了解氮化铝陶瓷基板加工事宜咨询钧杰陶瓷联系电话：136 998 99025。